A.單曝光能量減影
B.雙曝光能量減影
C.體層合成
D.圖像無(wú)縫銜接
E.多模式立體成像
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A.使用了光電導(dǎo)材料,能將所吸收的光子轉(zhuǎn)換成電荷
B.典型材料為非晶硒(a-SE.
C.每個(gè)薄膜晶體管(TFT)形成一個(gè)采集圖像的最小單元
D.非晶硒層直接將X線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)
E.與非晶硅探測(cè)器的工作原理相同
A.影像板
B.增感屏
C.碘化銫
D.非晶硒
A.X線光子→閃爍晶體→可見(jiàn)光→非晶硅光電二極管陣列→電信號(hào)→逐行取出,量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
B.X線光子→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→可見(jiàn)光→電信號(hào)→逐行取出,量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
C.X線光子→非晶硅光電二極管陣列→可見(jiàn)光→閃爍晶體→電信號(hào)→逐行取出,量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
D.X線光子→可見(jiàn)光→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→電信號(hào)→逐行取出,量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
E.X線光子→電信號(hào)→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→可見(jiàn)光→逐行取出,量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
A.碘化銫的其針狀(或稱柱狀)結(jié)構(gòu)
B.閃爍體層制作得較厚
C.像素太小
D.像素太大
E.光電二極管/晶體管陣列放置在閃爍體的射出表面上
A.屬于間接轉(zhuǎn)換型平板探測(cè)器
B.常見(jiàn)的多為碘化銫+非晶硅型
C.碘化銫層的晶體直接生長(zhǎng)在基板上
D.碘化銫針狀結(jié)構(gòu)明顯增加了X線的偽影
E.X線探測(cè)、圖像采集和讀出都是相互獨(dú)立的過(guò)程
最新試題
關(guān)于CT的密度分辨力的論述錯(cuò)誤的是()。
CR各成像環(huán)節(jié)中,需要IP板參與的是()。
下列關(guān)于采樣頻率的敘述正確的是()。
在非晶硅平板探測(cè)器中,將空間上連續(xù)的X線圖像轉(zhuǎn)換為陣列圖像的是()。
下列CT基本概念的敘述,錯(cuò)誤的是()。
影響CT空間的分辨率的因素有()。
關(guān)于顱腦灌注CT下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于圖像幾何放大技術(shù)正確的是()。
CT的定量測(cè)量常用的方法有()。
常規(guī)X線攝影X線穿過(guò)被照體后強(qiáng)度減弱的主要原因是()。