A.F9
B.C6
C.O8
D.S16
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A.甲基質(zhì)子是單峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,醇質(zhì)子是單峰
B.甲某質(zhì)子是二重峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,酵質(zhì)子是單峰
C.甲某質(zhì)子是四重蜂,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是單峰
D.甲某質(zhì)子是四重峰,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是二重峰
A.五組峰(6:1:2:1:6)
B.三組峰(2:6:2)
C.三組峰(6:1:1)
D.四組峰(6:6:2:2)
A.大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的高頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
B.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的低頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
C.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的高頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
D.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的低頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
A.吸收電磁輻射的頻率區(qū)域不同
B.檢測(cè)信號(hào)的方式不同
C.記錄譜圖的方式不同
D.樣品必須在強(qiáng)磁場(chǎng)中測(cè)定
最新試題
ICP光譜儀中石英炬管清洗時(shí)用的酸是()。
脈沖加熱熔融熱導(dǎo)法測(cè)定鋼鐵中氫含量,分析前應(yīng)用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行檢查和校準(zhǔn)儀器,所用實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的氫含量應(yīng)略大于被分析試樣的含氫量。
ICP-AES法中檢出限高低取決于()。
判定原子吸收光譜測(cè)量元素準(zhǔn)確度,必須根據(jù)與分析元素結(jié)果相接近的標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)定值。
原子熒光光譜法制作工作曲線時(shí),相關(guān)系數(shù)應(yīng)至少達(dá)到()。
ICP-AES方法與ICP-MS相比具有的缺點(diǎn)是()。
在高頻感應(yīng)紅外碳硫分析儀中,可以作為氧化催化劑的試劑有()。
原子吸收光譜測(cè)量的結(jié)果,只要線性好,平行好,結(jié)果準(zhǔn)確度就高。
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀包括()。
空氣-Ar-ICP的缺點(diǎn)是()。