A.由于磁的各向異性效應(yīng)，使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應(yīng)，使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應(yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙快質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應(yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙快質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)

A.化合物中不同質(zhì)子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個(gè)數(shù)及位置

A.屏蔽效應(yīng)較弱，相對(duì)化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
B.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對(duì)化學(xué)位移較小，共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
C.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對(duì)化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在低場(chǎng)
D.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對(duì)化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)

A.掃頻下的高頻，掃場(chǎng)下的高場(chǎng)，化學(xué)位移δ值較小
B.掃頻下的高頻，掃場(chǎng)下的低場(chǎng)，化學(xué)位移δ值較大
C、掃頻下的低頻，掃場(chǎng)下的高場(chǎng)，化學(xué)位移δ值較大
D、掃頻下的低頻，掃場(chǎng)下的高場(chǎng)，化學(xué)位移δ值較小

A.化學(xué)位移
B.偶合常數(shù)
C.偶合裂分?jǐn)?shù)