A.熒光強度與吸收光強度之比
B.發(fā)射熒光的量子數(shù)與吸收激發(fā)光的量子數(shù)之比
C.發(fā)射熒光的分子數(shù)與物質總分子數(shù)之比
D.激發(fā)態(tài)的分子數(shù)與基態(tài)分子數(shù)之比
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A.分子發(fā)射熒光的強度大于其吸收光的強度
B.熒光的波長比吸收光的波長稍長
C.提高檢測器靈敏度可提高熒光法的靈敏度,而不能提高吸收光譜法的靈敏度
D.增加光源的強度可提高熒光法的靈敏度,而不能提高吸收光譜法的靈敏度
A.熒光光譜
B.激發(fā)光譜
C.發(fā)射光譜
D.吸收光譜
A.吸收光譜
B.激發(fā)光譜
C.熒光光譜
D.工作曲線
A.激發(fā)光譜反映了熒光物質的發(fā)射特性
B.激發(fā)光譜反映了熒光物質的吸收特性
C.激發(fā)光譜的橫坐標表示激發(fā)光的波長
D.激發(fā)光譜的縱坐標表示激發(fā)光的強度
A.熒光光譜反映了熒光物質的發(fā)射特性
B.熒光光譜反映了熒光物質的吸收特性
C.熒光光譜的橫坐標表示激發(fā)光的波長
D.繪制熒光光譜時,激發(fā)光的波長和強度均應固定
最新試題
ICP光譜干擾包括()。
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀包括()。
紅外吸收法分析碳和硫時,可以用同一個紅外池來檢測。
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原子熒光光譜法制作工作曲線時,相關系數(shù)應至少達到()。
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選用ICP-AES儀器,同時可以進行()。
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