單項(xiàng)選擇題“從CsCl晶體中可以抽象出立方體心點(diǎn)陣”這一表述（）。
A. 正確
B. 不正確，因?yàn)?ldquo;立方體心”不滿足點(diǎn)陣定義，不是一種點(diǎn)陣
C. 不正確，CsCl晶體的點(diǎn)陣為立方簡(jiǎn)單
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1.單項(xiàng)選擇題立方面心點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光規(guī)律是（）。
A.h+k+l=奇數(shù)
B.h+k+l=偶數(shù)
C.h、k、l奇偶混雜
2.單項(xiàng)選擇題CeO2具有立方面心點(diǎn)陣，負(fù)離子堆成的簡(jiǎn)單立方空隙有50%被正離子占據(jù)，其結(jié)構(gòu)型式為（）。
A.CsCl型
B.六方ZnS型
C.CaF2型
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?聯(lián)苯（Ph-Ph）有三種不同構(gòu)象，α為兩苯環(huán)的二面角，當(dāng)α介于0°和90°之間時(shí)，該分子屬于（）種點(diǎn)群。
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關(guān)于點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，下列哪一種說(shuō)法是正確的？（）
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