單項(xiàng)選擇題在進(jìn)行尾纖拔插時(shí)，為防止燒壞光纖接頭和對(duì)操作人員的危險(xiǎn)，要進(jìn)行激光器關(guān)斷操作，現(xiàn)場按放大盤CUT鍵后，網(wǎng)管上報(bào)告警為（）

A.LASER_CUT
B.LASER_OFF
C.LASER_TF
D.LDOFF


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于OTN波長配置，下列說法正確的是（）

A.配置端口的波段，可選CE、CO、CE+、CO+波段
B.配置端口的波長，需要配置波長后再配置波段
C.只能進(jìn)行逐條配置
D.端口的波長可以隨時(shí)進(jìn)行修改

2.單項(xiàng)選擇題某OTN系統(tǒng)調(diào)測過程中發(fā)現(xiàn)部分波道線路誤碼率不達(dá)標(biāo)，不可能的原因是（）

A.OSNR過低
B.系統(tǒng)平坦度未調(diào)平
C.主光功率異常
D.OPM盤故障

4.單項(xiàng)選擇題在開通調(diào)測階段，關(guān)于OSNR的說法正確的是（）

A.當(dāng)大多數(shù)（超過50%）通道OSNR不能達(dá)標(biāo)時(shí)，可以通過調(diào)節(jié)主光輸出功率來提高OSNR
B.建議OSNR平坦度小于2dB
C.一般建議短波長末端OSNR略小，中、長波長略大
D.為提高OSNR，單波入纖光功率越大越好

最新試題

8TDGS單盤做GE業(yè)務(wù)時(shí)，應(yīng)該選擇的封裝類型為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

當(dāng)4LA2盤打開PM監(jiān)測后，前端機(jī)盤上報(bào)OTN-LOF告警時(shí)，4LA2機(jī)盤將上報(bào)（）

題型：單項(xiàng)選擇題

OTN線路側(cè)100G光模塊故障排查方法，下列說法正確的是（）

題型：多項(xiàng)選擇題

打開devcfg中提示登錄數(shù)據(jù)庫時(shí)出錯(cuò)，應(yīng)該檢查（）

題型：多項(xiàng)選擇題

隨著OTN技術(shù)的發(fā)展，OTN中電層保護(hù)用之也越發(fā)廣泛，電層保護(hù)中的SNCP保護(hù)最為常見，采用ODUK1+1保護(hù)對(duì)業(yè)務(wù)進(jìn)行主備保護(hù)，確保承載的業(yè)務(wù)在主用通道中斷后可切換至備用通道，使得業(yè)務(wù)運(yùn)行正常，以下哪種方式會(huì)導(dǎo)致該保護(hù)失效（）

題型：單項(xiàng)選擇題

OTN系統(tǒng)光子框中需要插在固定槽位的機(jī)盤（）

題型：多項(xiàng)選擇題

WSON的MIB管理器中查看通道狀態(tài)，哪個(gè)字段可以確定通道通道建路失?。ǎ?/p>

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于合波器件要求通道差損最大差異為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

OTN N×10Gbit/s系統(tǒng)系統(tǒng)MPI-R點(diǎn)OSNR信噪比要求大于（）

題型：單項(xiàng)選擇題

POTN設(shè)備內(nèi)環(huán)和外環(huán)分別是往哪個(gè)方向環(huán)回（）

題型：單項(xiàng)選擇題