A.數(shù)據(jù)塊數(shù)
B.字節(jié)數(shù)
C.扇區(qū)數(shù)
D.記錄項(xiàng)數(shù)
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A.A15~A6
B.A9~A0
C.A15~A5
D.A10~A0
A.A2A3
B.A0A1
C.A12~A15
D.A0~A5
A.A16~A15
B.A0~A9
C.A0~A11
D.A4~A15
A.工作中存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化
B.工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變?cè)L存地址
C.每次讀出后,需根據(jù)原存內(nèi)容重寫一次
D.每隔一定時(shí)間,需要根據(jù)原存內(nèi)容重寫一遍
A.相鄰位單元交界處必須變換磁化電流方向
B.相鄰位單元交界處,電流方向不變
C.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值相同時(shí),交界處變換電流方向
D.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值不同時(shí),交界處變換電流方向
最新試題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成?()
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。