A.10~15mm
B.15~25mm
C.25~40mm
D.40~60mm
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A.260±10℃；3~3.5s
B.250±5℃；2s
C.250±5℃；3~3.5s
D.260~300℃；3~3.5s
A.0.75mm
B.1mm
C.1.6mm
D.2mm
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.鍍金層小于2.5μm可進(jìn)行一次搪錫處理，否則應(yīng)進(jìn)行二次搪錫處理
B.鍍金引線使用錫鍋搪錫時，應(yīng)使用不同錫鍋進(jìn)行，第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線的搪錫且應(yīng)經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線、導(dǎo)線、各種接線端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線鍍金時應(yīng)將所有引線部位搪錫或二次搪錫處理
A.去除氧化層操作時應(yīng)防止電子元器件引線根部受損
B.可以使用W14-W28號金相砂紙單方向輕砂引線表面，直至去除氧化層，但不可將引線上的鍍層去除
C.距引線根部2mm~5mm的位置不進(jìn)行去除氧化層操作
D.元器件引線氧化層去除后4h內(nèi)要搪錫完畢
最新試題
單面伸出的非軸向引線元器件的安裝地面與印制板表面之間的最小為（），最大值為（）
電子元器件搪錫前應(yīng)使用（）校直元器件引線，引線校直時不能有夾痕，引線表面應(yīng)無損傷。
在電路調(diào)試過程中，解決截止失真的主要措施是（）
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求，底部焊料填充厚度，應(yīng)為（）
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時，其搪錫溫度為（）；采用錫鍋搪錫時，其搪錫溫度為（）
元器件若安裝在裸露電路之上，引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應(yīng)超過（）
晶體管電路中，電流分配公式是（）
使用錫鍋對導(dǎo)線芯線進(jìn)行搪錫時溫度為（），時間為1s~2s，使用電烙鐵搪錫時溫度為（）搪錫時間不大于3s。
J型引線器件的焊接，引線底部焊料填充高度，應(yīng)不大于（）