A.20
B.200
C.1000
D.1024
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A.4
B.5
C.6
D.8
A.8
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C.4
D.5
A.寬度增加
B.幅度減小
C.幅度增加
D.寬度減小
A.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列固定連接，而或門陣列可編程
B.PLA結(jié)構(gòu)是或門陣列固定連接，而與門陣列可編程
C.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列和或門陣列都可以編程
D.PLA中，一個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元是唯一的
最新試題
四位并行輸入寄存器輸入一個(gè)新的四位數(shù)據(jù)時(shí)需要（）個(gè)CP時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
有一個(gè)8位D／A轉(zhuǎn)換器，設(shè)它的滿度輸出電壓為25．5V，當(dāng)輸入數(shù)字量為11101101時(shí)，輸出電壓為（）V。
用555定時(shí)器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)電路如圖12-3所示。已知電源電壓V=10V，R=33kΩ，C=0．1μF，則輸出電壓的脈沖寬度為（）mS。
從信息的存儲(chǔ)情況分類，存儲(chǔ)器可以分為（）兩大類。
增加單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的定時(shí)電阻R的值可以使輸出脈沖的（）。
R-S觸發(fā)器的基本性質(zhì)是（）。
將一個(gè)最大幅值為5V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要使模擬信號(hào)每變化10mV，數(shù)字信號(hào)的最低位發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。
A／D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過(guò)程分為（）4個(gè)步驟。
下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端，8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。