如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
A.ε0+ε1）S1／d
B.ε0S0／d+ε1S1／d
C.ε0S0／d
D.ε1S1／d
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.2εS／d
B.εS／d
C.d／2εS
D.d／εs
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
A.σ／3ε，σ／2εd
B.σ／ε）eX，σd／ε
C.σ／3ε，σ／3εd
D.σ／2ε）eX，σd／2ε
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
A.σ／2ε0）eX
B.σ／ε0
C.σ／ε0）x2
D.σ／ε0）eX
如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場力為（）。
A.
B.εS／D.V0
C.d／εS）V0
D.
A.當(dāng)電場是由多個點(diǎn)電荷激發(fā)產(chǎn)生時，則電場強(qiáng)度的大小是各點(diǎn)電荷單獨(dú)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的代數(shù)和
B.多個點(diǎn)電荷在均勻介質(zhì)中某點(diǎn)產(chǎn)生的電位，是各點(diǎn)電荷單獨(dú)在該點(diǎn)產(chǎn)生的電位的代數(shù)和
C.處于靜電場中的導(dǎo)體，其內(nèi)部電場強(qiáng)度為零，其表面的電場強(qiáng)度垂直于導(dǎo)體表面
D.電場中電位相等的點(diǎn)所構(gòu)成的曲面稱為等位面，等位面與電力線處處正交
最新試題
真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場強(qiáng)度為（）。
如下幾種說法，正確的有（）。
圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時閉合開關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。
電真空中無限長、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場強(qiáng)度為（）。
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵信號產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。
真空中有一個半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場為（）。
一同軸電纜長1=2m，其芯線導(dǎo)體半徑r1=1cm，鉛皮外殼內(nèi)半徑r2=6cm，導(dǎo)體間絕緣材料的電阻率ρ=1×109Ω*m，當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與外殼間電壓U0為500V時，絕緣層中漏電流為（）。