半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。

圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時閉合開關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。

如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場力為（）。

真空中有一個半徑為a的金屬球，其電容為（）。

在圖10-61所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，則i2（0+）=（）A。

電真空中無限長、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場強(qiáng)度為（）。

圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動R1上的滑動觸點(diǎn)，該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因為（）。

圖10-65所示電路，當(dāng)開關(guān)s在位置1時已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時刻將開關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。

圖10-70所示電路的時間常數(shù)τ為（）us。