單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，靜態(tài)的比動(dòng)態(tài)的速度（）。
A.慢
B.快
C.相等
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1.單項(xiàng)選擇題8421碼十進(jìn)制加法器運(yùn)算結(jié)果有個(gè)（）修正問題。
A.補(bǔ)3
B.補(bǔ)4
C.補(bǔ)5
D.補(bǔ)6
2.單項(xiàng)選擇題串行加法器包含（）個(gè)全加器。
A.1
B.2
C.3
D.4
最新試題
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
題型：單項(xiàng)選擇題