A.隨深度的增加,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張,高值等劑量線向內(nèi)收縮,并隨電子束能量而變化
B.隨深度的增加,低值等劑量線向內(nèi)收縮,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張,并隨電子束能量而變化
C.隨深度的增加,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張,高值等劑量線向內(nèi)收縮,不隨電子束能量而變化
D.隨深度的增加,低值等劑量線向內(nèi)收縮,高值等劑量線向內(nèi)收縮,不隨電子束能量而變化
E.隨深度的增加,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張,并隨電子束能量而變化
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A.路徑大大超過(guò)最大射程
B.路徑大大小于最大射程
C.路徑與最大射程相等
D.路徑與能量無(wú)關(guān)
E.能量越小射程越大
A.能量越高射程越大
B.能量越低射程越大
C.能量越高射程越小
D.能量變化射程不變
E.能量不變射程隨機(jī)變化
A.電子線中心軸上最大劑量點(diǎn)的深度R100
B.電子線PDD劑量跌落最陡點(diǎn)的切線與Dm水平線交點(diǎn)的深度
C.電子線入射表面下0.5cm
D.有效治療點(diǎn)深度R85
E.固定深度2cm
A.射野較大時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
B.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
C.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野增大時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
D.低能時(shí)射野對(duì)PDD的影響較大
E.對(duì)較高能量電子束,使用較小的射野時(shí)PDD隨射野的變化較小
A.PDD表面劑量減少、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
B.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
C.PDD表面劑量增加、坪區(qū)變窄、劑量梯度減少以及X射線污染增加
D.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度增大以及X射線污染增加
E.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染減少
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