A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對(duì)吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差
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A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)
A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
C.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
D.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
E.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過程
最新試題
對(duì)高能的X射線,通常采用輻射質(zhì)指數(shù)來描述射線質(zhì),用水模體內(nèi)不同深度的值來表示定義為()
電子射程的含義為()
電子線的能量與射程的關(guān)系()
為了防止隨機(jī)性效應(yīng),放射工作人員受到全身均勻照射時(shí)的年劑量當(dāng)量()
在下列哪種情況下主要采用高能電子束進(jìn)行臨床治療()
動(dòng)態(tài)楔形板()
放射工作人員的年劑量當(dāng)量是指一年內(nèi)()
使用高能電子束照射時(shí),其PDD隨射野面積變化的關(guān)系是()
為了防止非隨機(jī)性效應(yīng),放射工作人員任一器官或組織所受的年劑量當(dāng)量不得超過下列限值()
公眾照射的年均照射的劑量當(dāng)量限值為()