電路如圖所示。已知：晶體管的β、rbb’、Cμ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路，將結(jié)論填入空內(nèi)。
A.A
B.B
C.C
D.D
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電路如圖所示。已知：晶體管的β、rbb’、Cμ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路，將結(jié)論填入空內(nèi)。
A.A
B.B
C.C
D.D
電路如圖所示，T1與T2管為超β管，電路具有理想的對(duì)稱(chēng)性。選擇合適的答案填入空內(nèi)。
A.0.7V
B.1.4V
C.不可知
電路如圖所示，T1與T2管為超β管，電路具有理想的對(duì)稱(chēng)性。選擇合適的答案填入空內(nèi)。
A.增大輸入級(jí)的耐壓值
B.增大放大能力
C.增大帶負(fù)載能力
電路如圖所示，T1與T2管為超β管，電路具有理想的對(duì)稱(chēng)性。選擇合適的答案填入空內(nèi)。
A.增大輸入電阻
B.增大電流放大系數(shù)
C.展寬頻帶
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.低功耗型
E.高壓型
F.大功率型
G.高精度型
最新試題
當(dāng)（）變化時(shí)，積分器電路的反饋量會(huì)發(fā)生變化。
當(dāng)混頻器輸入信號(hào)的頻率增高一倍時(shí)，輸出中頻信號(hào)頻率（）。
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，求負(fù)載電阻RL大小。
行波系數(shù)等于1，說(shuō)明（）。
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的（）未發(fā)生變化。
甲類(lèi)放大器與其它類(lèi)放大器相比，（）。
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形，說(shuō)明（）。
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了（）。
對(duì)于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）
接收機(jī)中的揚(yáng)聲器（耳機(jī)）是（）的負(fù)載。