在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。

I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?

可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）

已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。

?10進制計數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）

?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。

以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）

?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器，若采樣時間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）

?某次電路實驗中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。

假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。