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問答題

【簡答題】氧化硅的熱動(dòng)力學(xué)生長過程中包括哪幾個(gè)主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對(duì)氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？

答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個(gè)過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到...

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【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO₂的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？

答案：

氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A

【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。

答案：在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...