A.因?yàn)槭请娮用}沖電離室,電路成型過程也有隨機(jī)性引入
B.電離效應(yīng)產(chǎn)生載流子會(huì)引入隨機(jī)性
C.設(shè)計(jì)更精密的探測(cè)器可以消除能譜峰的離散
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A.中央電極絲可以是陽極也可以是陰極
B.不均勻電場(chǎng)的引入是為了降低電離位置對(duì)脈沖信號(hào)幅度的影響
C.電位設(shè)置、電離室半徑、中央電極絲半徑?jīng)Q定雪崩的大致范圍
D.內(nèi)部漂移電場(chǎng)是不均勻的
A.離子脈沖電離室能準(zhǔn)確測(cè)量入射粒子能量
B.離子脈沖電離室不能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
C.電子脈沖電離室沒有高信噪比
D.電子脈沖電離室能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
A.電子離子對(duì)一旦形成,立即就有輸出電流信號(hào)
B.電壓脈沖的上升時(shí)間為電子電流的持續(xù)時(shí)間
C.電離室輸出電流中包含快成分與慢成分
D.快成分與慢成分的比例與電子離子產(chǎn)生位置有關(guān)
A.離子脈沖電離室能夠收集所有電荷,所以實(shí)用性很高
B.離子脈沖電離室的電壓脈沖寬度為μs級(jí)
C.電子脈沖電離室不能夠收集所有的電荷
D.電子脈沖電離室電壓信號(hào)幅度與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置無關(guān)
A.輸出總電荷量Q=Ne=eE/W
B.外電路的電流形狀有兩個(gè)平臺(tái),一個(gè)高而短,一個(gè)低而長(zhǎng)
C.電壓信號(hào)形狀與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置無關(guān)
D.電流信號(hào)形狀與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置有關(guān)
最新試題
測(cè)量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是()。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)?()
關(guān)于加速器中子源,描述錯(cuò)誤的是()。
測(cè)量β射線的活度,下列說法錯(cuò)誤的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一,關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是()。