DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

晶體管能夠放大的外部條件是（）。

本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。

在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。

對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō)，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為（）。

8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是（）。

通過(guò)U2000網(wǎng)管查詢(xún)OUT單板WDM性能可以看到（）。

光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類(lèi)型（）。（）處理電信號(hào)的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類(lèi)型（）

下面哪塊單板不提供MON口用于在線(xiàn)光信號(hào)檢測(cè)：（）

在RS232串口中，采用哪一種校驗(yàn)方式：（）。