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反偏PN結電容和MOS電容器。

雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴散電阻；MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。

（1）增大基區(qū)寬度：由工藝決定；
（2）使襯底可靠接地或電源。

在實際的集成晶體管中存在著點和存儲效應和從晶體管有效基區(qū)晶體管要引出端之間的歐姆體電阻，他們會對晶體管的工作產生影響。

NPN晶體管電流增益小，集電極串聯電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。