多項(xiàng)選擇題影響等離子體蝕刻特性好壞的因素包括以下幾個(gè)方面（）。
A.等離子體蝕刻系統(tǒng)的形態(tài)
B.等離子體蝕刻的參數(shù)
C.光刻膠
D.待蝕刻薄膜的淀積參數(shù)條件
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1.多項(xiàng)選擇題濕法蝕刻具有以下哪些缺點(diǎn)（）。
A.化學(xué)藥品處理時(shí)人員會(huì)遭遇的安全問題
B.反應(yīng)溶液及去離子水需花費(fèi)較高成本
C.光刻膠會(huì)產(chǎn)生附著性問題
D.蝕刻不均勻
2.多項(xiàng)選擇題干法蝕刻通常指利用輝光放電方式，產(chǎn)生等離子體來(lái)進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移的蝕刻技術(shù)。其中等離子體含有（）。
A.離子、電子
B.中性原子
C.分子
D.自由基
3.多項(xiàng)選擇題廣義而言，所謂的蝕刻技術(shù)可以分為（）。
A.干蝕刻
B.濕蝕刻
C.中性蝕刻
D.無(wú)側(cè)蝕蝕刻
4.多項(xiàng)選擇題在堿性氯化銅蝕刻中，造成蝕刻過度的原因可能有（）。
A.傳送速度太慢
B.pH值過高
C.蝕刻液比重偏低
D.蝕刻液溫度不足
5.多項(xiàng)選擇題在堿性氯化銅蝕刻中，造成蝕刻不足的原因可能有（）。
A.傳送速度太快
B.pH值太低
C.蝕刻液溫度不足
D.噴淋壓力不足
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