單項選擇題下列蝕刻系數(shù)數(shù)字中表示側(cè)蝕最嚴(yán)重的是()。
A.1:1
B.2:1
C.3:1
D.4:1
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1.單項選擇題蝕刻系數(shù)的表達(dá)式為()。
A.V×X
B.V/X
C.V+X
D.V-X
2.單項選擇題用來衡量側(cè)蝕量的大小程度的選項為()。
A.蝕刻系數(shù)
B.蝕刻速率
C.溶銅量
D.鍍層增寬
3.單項選擇題側(cè)蝕的程度是以側(cè)向蝕刻的寬度來表示的,符號為()。
A.x
B.y
C.z
D.t
4.單項選擇題印制電路板蝕刻液蝕刻的對象是()。
A.覆銅箔板
B.環(huán)氧樹脂
C.鉆孔毛刺
D.阻焊油墨
5.單項選擇題在印制板上形成導(dǎo)電圖形的一般技術(shù)方式為()。
A.濕蝕刻
B.干蝕刻
C.淺蝕刻
D.深蝕刻
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在乙二腈電合成過程中,甲苯磺酸四乙銨鹽的加入可避免丙烯腈游離基離子的質(zhì)子化,提高乙二腈的產(chǎn)率。
題型:判斷題
有機(jī)電合成中的有機(jī)溶劑體系由于電阻率高,需要加入支持電解質(zhì)以提高電解液的導(dǎo)電性能和離子遷移性。
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有機(jī)電合成往往分兩步進(jìn)行,因此反應(yīng)過程比有機(jī)化學(xué)合成復(fù)雜。
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電催化劑主要為過渡金屬及其化合物,設(shè)計的關(guān)鍵是選擇過渡金屬中心原子。
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視覺、動作、同感、熱刺及、饑餓、干渴是屬于生物電化學(xué)效應(yīng)。
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穩(wěn)定化的二氧化鋯中的離子晶格缺陷對氧離子具傳導(dǎo)性。
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金屬有機(jī)化合物電合成過程中,通常由金屬有機(jī)化合物在陽極發(fā)生氧化反應(yīng)得到金屬離子和烷基自由基,烷基自由基再于金屬發(fā)生反應(yīng)生成里另一種金屬有機(jī)化合物。
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