單項選擇題SRAM和DRAM均為RAM存儲器，二者的容量與讀寫速度為（）

A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量
B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量
C、SRAM有極高的讀寫速度，DRAM有更大的容量
D、DRAM有極高的讀寫速度，SRAM有更大的容量


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1.單項選擇題用示波器測量晶體振蕩電路時，造成振蕩器停振，可能的原因為（）

A、晶體振蕩電路的輸出電阻過低
B、示波器的頻帶寬度不夠
C、示波器的高頻等效阻抗偏低
D、示波器的高頻等效阻抗偏高

3.單項選擇題按照慣例，脈沖上升沿tr的時間值應(yīng)在下述條件下測量（）

A、在脈沖峰峰值的0至90%處
B、在脈沖峰峰值的10%至90%處
C、在脈沖峰峰值的10%至100%處
D、在脈沖峰峰值的0%至100%處

4.單項選擇題基本比較器與滯回比較器相比（）

A、前者靈敏度高，后者抗干擾能力強
B、前者靈敏度差，后者抗干擾能力強
C、前者靈敏度高，后者抗干擾能力差
D、前者靈敏度差，后來抗干擾能力差

5.單項選擇題下列數(shù)據(jù)中，數(shù)值最大的為（）

A、（101001）2
B、（52）10
C、（00101001）BCD
D、（231）16