把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

PN結(jié)的基本特性是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）