A.超前
B.滯后
C.大于
D.小于
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A.電壓
B.電流
C.電阻
D.感抗
A.ωL2C2=1
B.ω2LC=1
C.ωLC=1
D.ω=LC
A.平均功率
B.實(shí)際功率
C.視在功率
D.瞬時(shí)功率
A.線電壓超前于線電流
B.電壓超前于電流
C.相電壓超前于相電流
D.相電流超前于相電壓
A.P=UIsinφ
B.P=UI
C.P=UIcosφ
D.P=UIcosφ
最新試題
由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高,在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí),有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。
對(duì)于一般缺陷,運(yùn)行人員應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)視,并在交接班時(shí)進(jìn)行交代。
因系統(tǒng)故障,使電源線路對(duì)側(cè)跳閘,造成電源中斷時(shí),不會(huì)引起站用交流電壓消失。
為保證在各種短路情況下都能可靠地輸出功率,單相復(fù)式整流裝置的電壓源和電流源必須裝在異名相上。
真空斷路器的滅弧過程是在密封的真空容器中完成的,因此不會(huì)污染周圍環(huán)境。
若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線,由于提高了充電電壓,電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。
變電站內(nèi)的直流系統(tǒng)是非獨(dú)立的操作電源。
處理二次回路故障時(shí),應(yīng)防止電流回路短路與電壓回路開路或接地。
驗(yàn)收隔離開關(guān)觸頭應(yīng)接觸嚴(yán)密,無變色。
直流回路熔斷器質(zhì)量不合格,接觸不良,可導(dǎo)致直流電壓消失。