單項選擇題測量tgδ常用QS1電橋是按（）刻度的。

A.R4=10000/πΩ tgδ（%）=C4
B.R4=1000/πΩ tgδ（%）=C4
C.R4=100/πΩ tgδ（%）=C4


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1.單項選擇題介損出現(xiàn)負(fù)值是因為（）。

A.試驗現(xiàn)場的電磁場干擾
B.被試品是容性的
C.被試品是感性的

2.單項選擇題交流耐壓試驗中限流電阻作用（）。

A.保護試驗變壓器
B.保護被試設(shè)備
C.保護測量儀表

3.單項選擇題交流耐壓試驗是一種破壞性試驗（）。

A.故在做此項試驗前應(yīng)先做其它絕緣試驗
B.故在做此項試驗前不得再作泄試驗
C.故只有在做完其它絕緣試驗發(fā)現(xiàn)缺陷后再做

4.單項選擇題直流泄漏試驗中，限流電阻作用是（）。

A.保護硅堆
B.保護被試設(shè)備
C.保護測量儀表

5.單項選擇題液體擊穿的小橋理論是（）。

A.用來解釋純凈液體介質(zhì)擊穿過程的
B.用來解釋含有雜質(zhì)的液體介質(zhì)擊穿過程的
C.用來解釋液體介質(zhì)在電場力作用下的極化現(xiàn)象的.