填空題金屬結(jié)晶時(shí)晶粒的大小主要決定于其()的長(zhǎng)大速度,一般可通過(guò)增加過(guò)冷度法或變質(zhì)處理來(lái)細(xì)化晶粒.
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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
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可用作硅片的研磨材料是()
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
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