熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）