單項選擇題下列諸材料中熱硬性最好的是（）
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題下列諸材料中淬透性最好的是（）
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
2.單項選擇題過共析鋼因過熱而析出網(wǎng)狀滲碳體組織時，可用下列哪種工藝消除（）
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
3.單項選擇題下列指標中，哪個是只決定了鋼的成份的性能（）
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
4.單項選擇題過共析鋼進行下列哪種熱處理可能會造成網(wǎng)狀滲碳體析出（）
A、完全退火
B、再結晶退火
C、正火
D、去應力退火
5.單項選擇題亞共晶白口鑄鐵的退火組織中，不可能有下列中的哪種組織（）
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題