CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。