A.生產(chǎn)放射性同位素
B.轉(zhuǎn)讓放射性同位素
C.處理廢舊放射源后
D.放射性同位素轉(zhuǎn)移到外省使用
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.目前尚不能生產(chǎn)出足夠亮度的觀片燈
B.透過高黑度底片的光亮度太高反而不利于缺陷識(shí)別
C.透過底片的亮度低于10cd/m2時(shí)，評(píng)片人員的視覺靈敏度將急劇降低
D.透過底片的光亮度超過30cd/m2時(shí)，人眼對(duì)底片上的影像有較好的識(shí)別能力
A.鎳、鎳合金
B.鈦、鈦合金
C.不銹鋼
D.銅、銅合金
A.在底片上出現(xiàn)黑度低于周圍背景黑度的“B”字影像
B.在底片上出現(xiàn)黑度高于周圍背景黑度的“B”字影像
C.底片上不出現(xiàn)“B”字
D.以上說法都不正確
A.當(dāng)一張膠片上同時(shí)透照多條焊接接頭時(shí)，應(yīng)在透照區(qū)中間和最邊緣的焊縫處各放一只像質(zhì)計(jì)
B.單壁透照中像質(zhì)計(jì)放置在膠片側(cè)時(shí)，應(yīng)進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)
C.當(dāng)像質(zhì)計(jì)放置在膠片側(cè)時(shí)，應(yīng)在像質(zhì)計(jì)上適當(dāng)位置放置鉛字“F”作為標(biāo)記，F(xiàn)標(biāo)記的影像應(yīng)與像質(zhì)計(jì)的標(biāo)記同時(shí)出現(xiàn)在底片上，且應(yīng)在檢測(cè)報(bào)告中注明
D.小徑管可選用通用線型像質(zhì)計(jì)或附錄F（規(guī)范性附錄）規(guī)定的專用（等徑金屬絲）像質(zhì)計(jì)，金屬絲應(yīng)橫跨焊縫放置
A.曝光量與焦距有關(guān)，與檢測(cè)技術(shù)級(jí)別有關(guān)
B.曝光量與焦距有關(guān)，與檢測(cè)技術(shù)級(jí)別無(wú)關(guān)
C.采用γ射線源透照時(shí)，總的曝光時(shí)間與檢測(cè)技術(shù)級(jí)別無(wú)關(guān)
D.當(dāng)焦距改變時(shí)可按平方反比定律對(duì)曝光量的推薦值進(jìn)行換算
最新試題
根據(jù)JB/T4730.3-2005《承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)》標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，承壓設(shè)備用無(wú)縫鋼管超聲檢測(cè)適用于（）。
鋼焊縫中存在直徑為φ3mm 的兩個(gè)缺陷，一個(gè)為氣孔，一個(gè)為夾渣，用2.5MHZ橫波斜探頭檢測(cè)，則該兩缺陷的反射指向性基本相同。
斜探頭作圓周方向探測(cè)時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)良好的聲耦合，常將探頭修磨成與圓周曲率半徑相同的曲面，經(jīng)修磨后，斜探頭的K 值將變大。
根據(jù)JB/T4730.3-2005《承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)》標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，采用6dB 法測(cè)定缺陷自身高度是利用（）。
雙晶直探頭的探測(cè)區(qū)為表面下的菱形區(qū)，菱形區(qū)的中心離表面距離隨入射角增大而增大。
當(dāng)缺陷聲程X=N/2（N 為探頭晶片近場(chǎng)長(zhǎng)度）時(shí)，由于此時(shí)主聲束處聲壓為零，故無(wú)法檢測(cè)。
長(zhǎng)軸類鋼鍛件從圓周面探測(cè)，常出現(xiàn)三角回波，利用三角回波出現(xiàn)的情況，可對(duì)軸類鋼鍛件作出判斷，下面哪種說法正確（）？
用有機(jī)玻璃制作水浸聚焦探頭進(jìn)行水浸探傷時(shí)，當(dāng)溫度升高時(shí)，焦距變大。
端點(diǎn)峰值法測(cè)得的缺陷指示長(zhǎng)度比端點(diǎn)6dB 法測(cè)得的指示長(zhǎng)度要小一些。
根據(jù)JB/T4730.3-2005《承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)》標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，對(duì)板厚為46mm，材質(zhì)為16MnR，設(shè)計(jì)壓力為2.0MPa 的液氨貯槽進(jìn)行超聲檢測(cè)，下列敘述正確的是（）。