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填空題
目前使用的()可多次寫入的存儲單元是在MOS管中置入()的方法實現(xiàn)的。
答案:
EPROM;浮置柵
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RAM主要包括()、存儲矩陣和讀/寫控制電路等部分。
答案:
地址譯碼器
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存儲器的主要技術指標有存儲容量、存取速度、功耗、可靠性和()等。
答案:
集成度
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