單項(xiàng)選擇題要測量40V左右的直流電壓，選用以下哪一只電表比較合適（）
A、量程為100V±5%
B、量程為50V、0.5級
C、量程為30V、0.5級
D、量程為50V±1%
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1.單項(xiàng)選擇題某家用電子產(chǎn)品的控制電路上CPU采用了EPROM芯片，它是（）。
A、只讀存儲器
B、隨機(jī)存儲器
C、可編程存儲器
D、可擦除的可編程存儲器
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的PLD是（），它由兩大陣列組成，固定陣列和可編程陣列。
A、可編程邏輯器件
B、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器
C、靜態(tài)隨機(jī)存儲器
D、可擦除的可編程存儲器
3.單項(xiàng)選擇題某家用電子產(chǎn)品的控制電路上采用了RAM和PROM芯片，它們分別是（）。
A、只讀存儲器；隨機(jī)存儲器
B、可編程存儲器；隨機(jī)存儲器
C、只讀存儲器；可編程存儲器
D、隨機(jī)存儲器；可編程存儲器
4.單項(xiàng)選擇題74系列TTL數(shù)字邏輯電路系國際上通用的標(biāo)準(zhǔn)電路。其中74F××表示為（）集成電路。
A、標(biāo)準(zhǔn)
B、肖特基
C、低功耗肖特基
D、高速
5.單項(xiàng)選擇題74系列TTL數(shù)字邏輯電路系國際上通用的標(biāo)準(zhǔn)電路。其中74LS××表示為（）集成電路。
A、標(biāo)準(zhǔn)
B、肖特基
C、低功耗肖特基
D、高速
最新試題
流過電容的電流與（）成正比。
題型：單項(xiàng)選擇題
?下列對集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?電路如圖所示，已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器，要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化，假設(shè)第2級增益為0.5V/V，則（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如圖所示，描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在分析阻容耦合式放大電路過程中，畫直流通路通路時(shí)，電容應(yīng)作（）處理。
題型：填空題
關(guān)于基爾霍夫電流定律（KCL），下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
已知，某一正弦交流電路中的電壓為u（t）=156sin（377t+15°）V，則下列描述有誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列電路變量中，描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
放大電路中，判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于回路方程，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題