A、結(jié)型場效應(yīng)晶體管,簡稱JFET
B、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管,簡稱JFET
C、結(jié)型場效應(yīng)晶體管JGFET
D、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管JGFET
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A.噪聲低、輸入阻抗低
B.熱穩(wěn)定性好、輸入阻抗低
C.噪聲低、輸入阻抗高
D.噪聲低、熱穩(wěn)定性差
A、P溝道增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管
B、增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場效應(yīng)晶體管
A、P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管
B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道型絕緣柵場效應(yīng)晶體管
A、只能通高頻信號(hào)
B、零點(diǎn)漂移
C、只能通直流信號(hào)
D、只能通交流信號(hào)
A、直流信號(hào)和交流信號(hào)
B、直流信號(hào)
C、直流信號(hào)和變化緩慢的交流信號(hào)
D、交流信號(hào)
最新試題
在分析阻容耦合式放大電路過程中,畫直流通路通路時(shí),電容應(yīng)作()處理。
關(guān)于電阻元件,下列描述正確的一項(xiàng)是()。
電路如圖所示,運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V,雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V,設(shè)正向壓降為零,當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時(shí),輸出電壓VO應(yīng)為()。
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù),可以采取的措施為()。
已知,某一正弦交流電路中的電壓為u(t)=156sin(377t+15°)V,則下列描述有誤的一項(xiàng)是()。
?直流穩(wěn)壓電路中,下列各部分功能說法正確的是()。
換路時(shí),下列哪些量是不能躍變的?()
流過電容的電流與()成正比。
關(guān)于回路方程,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
電路在激勵(lì)(外界輸入)或儲(chǔ)能元件的初始狀態(tài)作用下產(chǎn)生的響應(yīng)有三種,分別是()。