A、P型,鍺材料
B、N型,鍺材料
C、N型,硅材料
D、P型,硅材料
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C、高頻小功率管
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B、NPN型,鍺材料
C、PNP型,硅材料
D、NPN型,硅材料
A、130Ω,±10%;
B、1300Ω,±1%;
C、1300Ω,±10%;
D、130Ω,±1%
A、NPN型、黑表筆接管腳是集電極;
B、PNP型、黑表筆接管腳是集電極;
C、NPN型、黑表筆接管腳是基極;
D、PNP型、黑表筆接管腳是基極;
A.均是負(fù)溫度系數(shù)
B.NTC是負(fù)溫度系數(shù);PTC是正溫度系數(shù)
C.均是正溫度系數(shù)
D.NTC是正溫度系數(shù);PTC是負(fù)溫度系數(shù)
最新試題
換路時(shí),下列哪些量是不能躍變的?()
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于電阻元件,下列描述正確的一項(xiàng)是()。
在分析阻容耦合式放大電路過(guò)程中,畫直流通路通路時(shí),電容應(yīng)作()處理。
?電路如圖所示,已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器,要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化,假設(shè)第2級(jí)增益為0.5V/V,則()。
?下列對(duì)集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是()。
關(guān)于基爾霍夫電流定律(KCL),下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
關(guān)于回路方程,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
電路如圖所示,其功能是方波發(fā)生器,其中R和C的作用為()。
關(guān)于電路模型,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。