A、尺寸偏差
B、外觀質量
C、密度和強度
D、吸水率和相對含水率
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A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時;
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時;
C、正常生產(chǎn)六個月時(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上恢復生產(chǎn)時
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
最新試題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
下列哪個不是單晶常用的晶向()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()