A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí);
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí);
C、正常生產(chǎn)時(shí),每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。