屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。