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最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列是晶體的是()。
硅片拋光在原理上不可分為()
改良西門子法的顯著特點不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();