A、無(wú)電壓輸出
B、輸出電壓低
C、輸出電壓時(shí)高時(shí)低
D、輸出電壓高
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A、清晰度變差
B、對(duì)比度變小
C、亮度調(diào)節(jié)范圍變小
D、聚焦不良
A、4
B、6
C、2
D、1
A、500K
B、1M
C、100K
D、10M
A、RESET
B、ALT+CRTL
C、POWER
D、ALT+DEL
A、2個(gè)
B、任意個(gè)
C、3個(gè)
D、4個(gè)以上
最新試題
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求,底部焊料填充厚度,應(yīng)為()
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過(guò)()
波峰焊機(jī)焊槽內(nèi)的溫度應(yīng)控制在()范圍,焊接時(shí)間為()
J型引線器件的焊接,引線搭焊在焊盤(pán)上的長(zhǎng)度,應(yīng)不小于()
在印制板焊接面或元件面使用粘固膠安裝增添元器件時(shí),元器件引線連接后用()將元器件粘結(jié)在印制板上,并按要求固化。
在多級(jí)放大器中,放大器的帶寬與級(jí)數(shù)成()關(guān)系。
電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時(shí)不能有夾痕,引線表面應(yīng)無(wú)損傷。
無(wú)極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí),其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時(shí),其搪錫溫度為()
元器件引線無(wú)論采取手工或機(jī)械成形,若有明顯的刻痕或形變超過(guò)引線直徑的()則元器件不應(yīng)使用。
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的,二者區(qū)別是()