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填空題GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

1.填空題太陽(yáng)能單一結(jié)電池片可以分為（）；（）、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

2.填空題在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實(shí)現(xiàn)高效率。

3.填空題通過(guò)采用MQW結(jié)構(gòu)，電流值可用（）和（）控制，電壓可用本體上的禁帶寬度控制，因此即使是單電池片，其轉(zhuǎn)換效率也有望達(dá)到40%。

4.填空題在InP中也電子線(xiàn)照射缺陷一致的方向，注入（）以促進(jìn)（）的所謂DLTS的方法得到的結(jié)果。

5.填空題由于大多數(shù)化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)都是（），因此不像間接躍遷的Si那樣容易產(chǎn)生太陽(yáng)能電池特性的放射線(xiàn)（）現(xiàn)象。