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在CIS中,多數(shù)存在著()和反向軌道等因有缺陷。
答案:
空穴
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填空題
Mo和Se的反應(yīng)活性高,Mo/CIS界面狀態(tài)對(duì)膜的()有很大影響。
答案:
致密性
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填空題
在CIGS光吸收層上,用()成長(zhǎng)法可以產(chǎn)生CDS厚度為70nm。
答案:
溶液
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