A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.電子對(duì)生成效應(yīng)
D.電離效應(yīng)
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你可能感興趣的試題
A.1.02MeV
B.大于1.02MeV
C.1020keV
D.小于1020keV
A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.湯姆遜效應(yīng)
D.電子對(duì)生成效應(yīng)
A.150eV
B.15MeV
C.1.5MeV
D.0.15MeV
A.散射電子
B.散射中子
C.入射光子
D.入射分子
A.碰撞時(shí)發(fā)生全部能量轉(zhuǎn)移
B.相互作用時(shí)無(wú)能量轉(zhuǎn)移
C.產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)
D.碰撞時(shí)發(fā)生部分能量轉(zhuǎn)移
最新試題
潤(rùn)濕是受檢表面附著的氣體被滲透液體所取代的現(xiàn)象,發(fā)生潤(rùn)濕時(shí)()。
對(duì)滲透探傷無(wú)影響的是()。
阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開(kāi)口缺陷的固體污染物有()。
表面波檢測(cè)中,利用表面波檢測(cè)()效果好。
將彎曲液面對(duì)液體的壓強(qiáng)與平面液面對(duì)液體的壓強(qiáng)相比,任何液面膜對(duì)液體施以附加壓強(qiáng),下面描述正確的是()。
磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用()方法。
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí),為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度,檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭()。
鑄件熒光滲透檢測(cè)時(shí),()。
滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有()。
工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行()。