填空題若存儲空間的首地址為1000H，存儲容量為1K×8、2K×8、4K×8H和8K×8的存儲器所對應(yīng)的末地址分別為（）、（）、（）和（）。
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3.多項選擇題外存儲器包括（）。
A.軟磁盤
B.磁帶
C.SRAM
D.BIOS
E.硬磁盤
F.光盤
4.單項選擇題一片容量為8KB的存儲芯片，若用其組成1MB內(nèi)存，需（）片。
A.120
B.124
C.128
D.132
5.單項選擇題安排2764芯片內(nèi)第一個單元的地址是1000H，則該芯片的最末單元的地址是（）。
A.1FFFH
B.17FFH
C.27FFH
D.2FFFH
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并行接口可連接的外設(shè)有（）
題型：多項選擇題
一般地，機械硬盤的硬盤容量計算公式為硬盤容量×（H）×（S）×512B這里的C，H，S不包括（）
題型：單項選擇題
（）是CPU的基準(zhǔn)頻率，單位是MHZ。
題型：單項選擇題
（）用來存儲計算機運行期間所需要的數(shù)據(jù)和程序。
題型：單項選擇題
CPU執(zhí)行完當(dāng)前總線周期就可以響應(yīng)DMA請求。（）
題型：判斷題
內(nèi)存一般由（）制成，其最大特點是存取速度快。
題型：單項選擇題
下列選項中，屬于存儲信息的載體，即存儲媒體的是（）
題型：單項選擇題
8086CPU中引入的ALE和DMAC8237中引入的ADSTB地址鎖存信號都是為了實現(xiàn)地址\數(shù)據(jù)線的分時復(fù)用。（）
題型：判斷題
內(nèi)存可以分為（）
題型：多項選擇題
DRAM的內(nèi)容斷電后內(nèi)容會丟失，SRAM的內(nèi)容斷電后不會丟失。（）
題型：判斷題