DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。

下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號(hào)檢測(cè)：（）

模擬信號(hào)數(shù)字化的過(guò)程是（）。

對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō)，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。

通過(guò)U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。

關(guān)于監(jiān)控信道的描述，正確的是：（）。

關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是（）。

中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）

DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有（）