單項(xiàng)選擇題S8500系列單槽位最多支持的10GE接口數(shù)有幾個(gè)：（）
A.1
B.2
C.3
D.4
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1.單項(xiàng)選擇題S8512有幾個(gè)風(fēng)扇框：（）
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項(xiàng)選擇題S8512提供幾個(gè)槽位：（）
A.8
B.10
C.12
D.14
3.單項(xiàng)選擇題S8512的冷卻送風(fēng)模式為：（）
A.自下而上
B.自上而下
C.自左而右
D.自右而左
4.單項(xiàng)選擇題S6506R的冷卻送風(fēng)模式為：（）
A.自下而上
B.自上而下
C.自左而右
D.自右而左
5.單項(xiàng)選擇題S6506R滿配時(shí)，提供的電源備份模式：（）
A.1+1
B.1+2
C.2+1
D.2+2
最新試題
硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）
題型：判斷題
DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器主要有PIN管和APD管兩種，對(duì)APD管來(lái)說(shuō)，其接收光功率過(guò)載點(diǎn)為（）dBm。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于監(jiān)控信道的描述，正確的是：（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
題型：多項(xiàng)選擇題
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號(hào)的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）
題型：填空題
關(guān)于FIU板的描述正確的有：（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號(hào)檢測(cè)：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng)，下列說(shuō)法不正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題