單項(xiàng)選擇題S9312的主控板縮寫為：（）
A.SFU
B.MCU
C.SRU
D.LPU
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1.單項(xiàng)選擇題S9306的監(jiān)控板縮寫為：（）
A.CMU
B.MCU
C.SRU
D.LPU
2.單項(xiàng)選擇題S9303的主控板縮寫為：（）
A.SFU
B.MCU
C.SRU
D.LPU
3.單項(xiàng)選擇題S9300系列交換機(jī)單槽位最大支持多少個(gè)10GE接口：（）
A.2
B.4
C.8
D.12
4.單項(xiàng)選擇題S9300系列交換機(jī)整機(jī)采用幾個(gè)平面設(shè)計(jì)：（）
A.單平面
B.雙平面
C.三平面
D.四平面
5.單項(xiàng)選擇題S8500的B后綴的接口板由于芯片的限制，在接口每下發(fā)一次acl，所占用的rule數(shù)是幾的整數(shù)倍？（）
A、2
B、4
C、6
D、8
最新試題
8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于FIU板的描述正確的有：（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
題型：單項(xiàng)選擇題
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
題型：多項(xiàng)選擇題
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
晶體管能夠放大的外部條件是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
題型：判斷題
DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器主要有PIN管和APD管兩種，對(duì)APD管來說，其接收光功率過載點(diǎn)為（）dBm。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng)，下列說法不正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題