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A.1+1
B.1+3
C.3+1
D.2+2
A.8個業(yè)務槽位,最大端口容量160G(雙向)
B.8個業(yè)務槽位,最大端口容量320G(雙向)
C.16個業(yè)務槽位,最大端口容量320G(雙向)
D.16個業(yè)務槽位,最大端口容量640G(雙向)
A.直接插拔
B.按OFL鍵,等紅燈亮起再拔
C.整機下電后再拔線路板
D.通過resetslotnumber后再拔插
A.空閑CPU資源
B.通信進程
C.路由進程
D.操作進程
A.5G
B.10G
C.20G
D.40G
最新試題
()不是導致四波混頻的主要原因。
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警,關于處理此告警說法正確的是:()
在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是()。
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。()
眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。()
為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應該用哪種濾波器?()
8421碼10010111表示的十進制數(shù)是()。
捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進行觸發(fā)。
關于SRAM和DRAM,下面說法正確的是()。
本征半導體中加入()元素可形成N型半導體。