解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

解釋什么是暗場掩模板？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？