單項(xiàng)選擇題OSI模型中的最高層和最低層分別是()。

A、表示層和物理層
B、應(yīng)用層和物理層
C、應(yīng)用層和網(wǎng)絡(luò)層
D、應(yīng)用層和傳輸層


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2.單項(xiàng)選擇題安裝CPU(SOCKET),下列正確的方法是()。

A、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-用力將CPU壓入插座-將鎖緊拉入并卡住
B、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直拉置-CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉入并卡住
C、平放主板-將鎖緊桿取下-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿卡住
D、將平放主板-鎖緊桿向上抬起到與主板成45度角位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放區(qū)一體化下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉下并卡住

3.單項(xiàng)選擇題開(kāi)機(jī)后提示“CMOS Battery Stale Low“,這表明()。

A、CMOS設(shè)置錯(cuò)誤
B、主板上CMOS電池電量不足
C、主板CMOS芯片損壞
D、主板供電不足

4.單項(xiàng)選擇題如果硬盤(pán)出現(xiàn)物理壞道,一般使用()方法來(lái)修復(fù)。

A、用諾頓磁盤(pán)醫(yī)生NDD進(jìn)行修復(fù)
B、利用DM對(duì)磁盤(pán)重新進(jìn)行高級(jí)格式化
C、用Lformat對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行低級(jí)格式化
D、以上方法都可以

5.單項(xiàng)選擇題要無(wú)條件格式化C盤(pán),正確的DOS命令是()。

A、FormatC:/Q
B、FormatC:\Q
C、FormatC:/U
D、FormatC:\U

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包過(guò)濾防火墻的過(guò)濾對(duì)象包括針對(duì)IP、()、()、數(shù)據(jù)包的傳輸方向的過(guò)濾。

題型:填空題

清分系統(tǒng)中數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)器所使用的操作系統(tǒng)是()。

題型:填空題

筆記本主板供電電路采用PWM控制原理的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源,它是通過(guò)改變()來(lái)改變脈沖的占空比的方式工作的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)器雙機(jī)軟件使用()的()實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)器的高可用性和負(fù)載均衡。

題型:填空題

維修人員接到維修機(jī)器后應(yīng)先()

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通常情況下,分布式RAM都是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

生成樹(shù)協(xié)議會(huì)強(qiáng)迫交換機(jī)的端口經(jīng)歷四種不同的狀態(tài),它們分別是()、()、()和()。

題型:填空題

清分服務(wù)器雙機(jī)軟件使用()軟件,使兩臺(tái)設(shè)備形成()模型。

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題型:填空題

()可以認(rèn)為是多端口的網(wǎng)橋,主要用于連接幾個(gè)獨(dú)立的過(guò)濾數(shù)據(jù)包。

題型:填空題